闪迪 SN5100 1TB 采用 BiCS8 QLC 3D CBA NAND 闪存技术，通过外围电路直接键合到存储阵列的架构，实现了单位面积内更大的存储密度与更短的信号传输路径，从而在降低功耗的同时显著提升了数据吞吐效率。该颗粒基于闪迪第8代闪存技术打造，数据传输速率可达 3.2Gb/s，为固态硬盘的高性能表现奠定了物理基础。结合 nCache 4.0 技术，硬盘能够智能管理静态与动态 SLC 缓存区域，将小文件写入请求聚合处理，既减少了 NAND 闪存的磨损，又保证了突发写入性能的稳定性。

主控芯片方面，闪迪 SN5100 1TB 搭载了闪迪自研的 Polaris 3 无缓存主控，基于 TSMC 16nm 工艺打造，支持 PCIe 4.0 x4 接口与 NVMe 2.0 协议，能够充分释放 BiCS8 闪存的全部性能潜力。在结构设计上，闪迪 SN5100 采用单面 M.2 2280 规格设计，不仅大幅提升了在笔记本及空间受限设备中的兼容性，配合 DRAM-Less 架构也有效降低了整体功耗与发热量，避免设备出现过热降频现象。其工作温度范围达到 0-85℃，高于行业常见的 0-70℃ 标准，确保在长时间高负载创作场景下的稳定运行。

性能表现上，1TB 版本的顺序读取速度最高可达 7100MB/s，顺序写入速度最高可达 6700MB/s，较上一代 SN5000 分别提升约 37% 和 36%，接近旗舰级 PCIe 4.0 SSD 水准。随机读写性能同样提升显著，分别达到 1000K IOPS 和 1300K IOPS，在 PCMark 10 存储性能测试中，2TB 版本较上代产品提升达 37%，能够流畅应对多线程任务切换与大型素材库快速检索。配合 600TBW 的耐久度写入寿命与 5 年有限质保，闪迪 SN5100 彻底打消了用户对 QLC 颗粒寿命的顾虑，为 AI 辅助渲染与 4K/8K 超高清内容编辑提供了可靠的存储保障。

闪迪 SN5100 1TB 搭载Polaris 3主控 支持NVMe 2.0协议 nCache 4.0技术 单面M.2 2280设计

[经销商] 京东自营

[产品售价] 1899元